Semiconductors 2026年10月13日 来源: WorldNL Magazine

Navitas 携手英伟达重塑 AI 数据中心供电架构

Navitas 半导体正与英伟达合作,为下一代 AI 数据中心开发 800V 至 12V 的电源板。该合作利用 Navitas 的氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)技术,显著提升 AI 服务器机架的功率效率和功率密度。

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Semiconductors 2026年10月12日 来源: Electronics-Lab

瑞萨推出面向800V数据中心的新型双面散热650V GaN FET

瑞萨电子推出了一款新型双面散热650V氮化镓(GaN)场效应晶体管,专为解决800V AI数据中心电源板面临的严峻散热和空间限制而设计。这种创新的散热方法显著提升了功率密度和热裕量,从而为高密度AI机架提供更高效的电力传输。

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Semiconductors 2026年10月8日 来源: Everything PE

Navitas与Microchip实现AI机架800V至6V电源转换

Navitas Semiconductor与Microchip Technology推出了一款专为AI数据中心设计的800V直流转6V直流参考设计。该方案利用GaNFast功率IC和微控制器,符合开放计算项目(OCP)800V直流标准,满足了现代GPU集群对高功率密度的需求。

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Semiconductors 2026年9月27日 来源: Bitcoin Versus

Wise与Navitas瞄准AI数据中心GaN与SiC电源技术

Wise Integration与Navitas Semiconductor达成合作,将数字电源控制与氮化镓(GaN)及碳化硅(SiC)技术相结合。此次合作旨在提供高效、面向下一代AI数据中心严苛能源需求的电源解决方案。

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Semiconductors 2026年9月22日 来源: Microwaves & RF

采用SiC JFET技术实现兆瓦级AI算力

随着AI机架功率需求突破200千瓦,传统48V直流配电面临严峻瓶颈,促使行业向更高电压架构转型。安森美指出,碳化硅(SiC)JFET技术能够有效克服这些限制,为先进的AI数据中心提供高效、可靠的兆瓦级电力传输。

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Semiconductors 2026年9月21日 来源: Publish0x

超越GPU:英飞凌为何是被低估的AI基础设施核心标的

本文重点阐述了氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率半导体在AI数据中心和服务器中扮演的关键角色。文章深入解析了这些不可或缺的功率芯片如何推动英飞凌等企业在不断扩张的AI电力基础设施市场中崛起为核心玩家。

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Semiconductors 2026年9月15日 来源: EE Times Asia

纳微半导体收购Claros,全面扩展GaN与SiC战略

纳微半导体计划以2.328亿美元收购Claros,以扩展其GaN和SiC战略,瞄准800V基础设施的最后一环电力传输。此次收购凸显了宽禁带半导体在优化下一代AI数据中心能效方面日益增长的重要性。

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