800V AI电源革命:纳微与英伟达共拓数据中心能效新前沿
纳微半导体与英伟达正携手推进AI数据中心的800V电源架构,旨在实现前所未有的能效水平。此次合作凸显了向高压直流系统转型的关键趋势,以满足AI工厂日益增长的电力需求。
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纳微半导体与英伟达正携手推进AI数据中心的800V电源架构,旨在实现前所未有的能效水平。此次合作凸显了向高压直流系统转型的关键趋势,以满足AI工厂日益增长的电力需求。
阅读更多 →Navitas 半导体正与英伟达合作,为下一代 AI 数据中心开发 800V 至 12V 的电源板。该合作利用 Navitas 的氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)技术,显著提升 AI 服务器机架的功率效率和功率密度。
阅读更多 →英飞凌推出了专为800VDC AI数据中心架构设计的新型高压热插拔控制器XDP8HD40S-1。该产品的推出进一步完善了其功率半导体产品组合,旨在提升下一代AI服务器部署中的电源管理、安全性和可靠性。
阅读更多 →瑞萨电子推出了一款新型双面散热650V氮化镓(GaN)场效应晶体管,专为解决800V AI数据中心电源板面临的严峻散热和空间限制而设计。这种创新的散热方法显著提升了功率密度和热裕量,从而为高密度AI机架提供更高效的电力传输。
阅读更多 →瑞萨电子通过推出全新的100V增强型GaN先进功率晶体管系列,扩展了其GaN产品线。这些低压GaN FET专为AI数据中心和机器人技术设计,可提供更高的功率密度和卓越的性能。
阅读更多 →Navitas Semiconductor与Microchip Technology推出了一款专为AI数据中心设计的800V直流转6V直流参考设计。该方案利用GaNFast功率IC和微控制器,符合开放计算项目(OCP)800V直流标准,满足了现代GPU集群对高功率密度的需求。
阅读更多 →英飞凌科技正为伊顿最新研发的面向800V AI数据中心的固态变压器提供碳化硅(SiC)功率器件。此次合作凸显了宽禁带半导体在实现下一代AI基础设施高能效、高密度电能转换方面的日益普及。
阅读更多 →瑞萨电子推出了业界首款具备双面散热功能的650V耗尽型GaN功率器件,专为高密度800V AI数据中心电源架构优化。这项半导体创新直接解决了兆瓦级数据中心电源转换系统中固有的关键热管理和效率挑战。
阅读更多 →伊顿与英飞凌科技达成合作,将其碳化硅(SiC)功率器件集成至伊顿的中压固态变压器平台。该战略合作旨在打造高效的800V直流配电架构,以满足现代AI数据中心庞大的能源需求。
阅读更多 →Wise Integration与Navitas Semiconductor达成合作,将数字电源控制与氮化镓(GaN)及碳化硅(SiC)技术相结合。此次合作旨在提供高效、面向下一代AI数据中心严苛能源需求的电源解决方案。
阅读更多 →随着AI机架功率需求突破200千瓦,传统48V直流配电面临严峻瓶颈,促使行业向更高电压架构转型。安森美指出,碳化硅(SiC)JFET技术能够有效克服这些限制,为先进的AI数据中心提供高效、可靠的兆瓦级电力传输。
阅读更多 →本文重点阐述了氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率半导体在AI数据中心和服务器中扮演的关键角色。文章深入解析了这些不可或缺的功率芯片如何推动英飞凌等企业在不断扩张的AI电力基础设施市场中崛起为核心玩家。
阅读更多 →安森美公布了雄心勃勃的财务目标,计划到2030年从AI数据中心获得25亿美元营收,并实现利润率提升。该公司的战略依托其先进的功率半导体技术,为下一代AI基础设施提供更高的功率密度、双面冷却和系统级成本降低。
阅读更多 →为满足激增的市场需求,博世计划在未来六年内将碳化硅(SiC)制造产能扩大20倍。此次扩张将同时支撑汽车应用与快速增长的AI数据中心(AIDC)电力市场,凸显了SiC在下一代高压电力系统中的关键作用。
阅读更多 →纳微半导体计划以2.328亿美元收购Claros,以扩展其GaN和SiC战略,瞄准800V基础设施的最后一环电力传输。此次收购凸显了宽禁带半导体在优化下一代AI数据中心能效方面日益增长的重要性。
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