英飞凌与SolarEdge推进800VDC AI数据中心碳化硅固态断路器技术
英飞凌与SolarEdge携手合作,致力于推进专为800VDC AI数据中心设计的碳化硅固态断路器技术。此举旨在提升下一代高密度计算基础设施的配电效率、可靠性与安全性。
阅读更多 →HVDC与AI数据中心供电领域的最新动态
英飞凌与SolarEdge携手合作,致力于推进专为800VDC AI数据中心设计的碳化硅固态断路器技术。此举旨在提升下一代高密度计算基础设施的配电效率、可靠性与安全性。
阅读更多 →创新科技股价上涨超3%,主要受AI领域对氮化镓(GaN)功率器件预期需求增加的推动。该公司有望从正在建设的需要先进功率转换解决方案的800V人工智能数据中心中显著受益。
阅读更多 →2026至2030年间,全球AI数据中心建设投资预计将超过1万亿美元,这引发了对功率半导体(尤其是碳化硅SiC)的爆炸性需求。SiC市场规模预计将从2025年的56亿美元飙升至2035年的近1100亿美元,凸显了其在下一代电力系统中的关键作用。
阅读更多 →电源集成公司宣布在氮化镓(GaN)技术上取得重大突破,其专有PowiGaN技术电压额定值高达2200V。这一进展为下一代高压电源转换系统铺平了道路,并将对AI数据中心电源基础设施产生深远影响。
阅读更多 →最新技术分析探讨了将大电流碳化硅(SiC)功率模块集成到多兆瓦固态变压器(SST)架构中的方案。该设计实现了中压到800伏直流电的直接转换,有效应对了AI数据中心对功率密度和效率日益增长的需求。
阅读更多 →英飞凌与SolarEdge正合作开发基于碳化硅JFET的固态断路器(SSCB)技术。该创新旨在解决AI数据中心日益普及800V直流电源架构时所面临的关键保护挑战。
阅读更多 →英飞凌与SolarEdge正扩大合作关系,共同开发专为800VDC AI数据中心设计的固态断路器技术。此次合作旨在解决高密度计算环境中,与下一代高压直流电源架构相关的关键安全和保护挑战。
阅读更多 →受AI数据中心加速采用400-800V系统的推动,碳化硅(SiC)断路器市场预计将实现大幅增长。Wolfspeed推出首款商用10 kV SiC固态断路器等行业里程碑,凸显了SiC半导体在实现下一代计算基础设施高效、高压配电与保护方面的关键作用。
阅读更多 →美国商务部拟对碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率器件实施更严格的出口管制,这将直接影响AI数据中心800V高压直流(HVDC)配电系统的架构演进。此举旨在管控宽禁带半导体材料的全球流动,预计将引发供应链重组并加速相关技术的本土化制造进程。
阅读更多 →Coherent宣布其碳化硅(SiC)厚外延技术取得重大突破,现可支持高达10kV的高压应用。该创新主要针对AI数据中心和工业电力领域的能源需求。通过赋能更高效的800V HVDC供电系统,这项技术为应对人工智能激增的电力消耗提供了关键解决方案。
阅读更多 →Wolfspeed与光宝科技宣布建立战略合作伙伴关系,将碳化硅技术集成至800V直流电源解决方案中。此次合作旨在为下一代人工智能数据中心提供高效、可靠的电力支持。
阅读更多 →英飞凌和Skeleton将合作开发面向AI数据中心的更高密度电源交付系统。该合作涵盖用于800V HVDC架构的碳化硅固态变压器以及结合超级电容储能的氮化镓削峰侧车系统。
阅读更多 →电动汽车曾推动了碳化硅(SiC)的首次大幅增长,而NVIDIA的AIDC 2.0白皮书现已将800V HVDC确立为AI数据中心的新供电标准。这一变革可能成为SiC行业的第二个“特斯拉时刻”,预计将在未来几年内使需求翻倍。
阅读更多 →安森美推出先进的碳化硅和固态变压器解决方案,以应对AI数据中心不断增长的电力需求。800V HVDC系统的引入彻底改变了数据中心基础设施的能源效率并降低了转换损耗。
阅读更多 →800V HVDC系统在AI数据中心的引入对新型功率半导体提出了迫切需求。碳化硅(SiC)主导机房高压配电,而氮化镓(GaN)则实现GPU板级的高效供电。两者的明确分工正全面重塑兆瓦级算力集群的供电格局。
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