英飞凌推进面向800 VDC AI数据中心的GaN功率技术
英飞凌与英伟达正围绕800 VDC AI数据中心供电架构，联合推进基于氮化镓（GaN）的中间总线变换器（IBC）方案。随着AI机架功率水平持续攀升并逼近兆瓦级，该合作聚焦于提升功率密度与转换效率，同时兼顾高压架构下的供电路径保护与可维护性。
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下一代光互连、AI数字工厂：全球瞩目的OCP峰会释放了哪些信号？
在OCP峰会上，台达与英伟达详细阐述了行业向800VDC供电架构的迁移，背景是机架功率密度从约145kW升至300–500kW乃至更高。新架构旨在提升转换效率、降低损耗，并加速吉瓦级AI工厂部署。
阅读更多 →随着AI机架超出交流供电能力，800 VDC数据中心供电架构市场到2034年将达597.6亿美元
Polaris Market Research预测，受AI机架功耗超出传统交流配电实际承载极限的推动，800 VDC数据中心供电架构市场到2034年将达597.6亿美元。2025年，存量改造（brownfield retrofit）占部署量的58.36%，运营商正逐步向原生800 VDC设计迁移。
阅读更多 →Allegro MicroSystems推出面向可持续800V AI数据中心的新型电源与散热解决方案
Allegro MicroSystems发布面向800V AI数据中心架构的电源与散热解决方案组合，涵盖电流传感、栅极驱动和面向高密度机架的热管理。随着数据中心从54V向800V直流配电迁移，这些器件旨在帮助运营商和OEM降低转换损耗并提升能效。
阅读更多 →英飞凌推出面向800V AI数据中心的12kW高压配电板
英飞凌发布了一款12kW高压配电板参考设计，面向800V AI数据中心供电架构。该平台将高压保护、中间总线变换、功率调节与遥测管理集成于单块板卡，以支持更高密度的AI机架。在AI负载将传统交流供电设计推向极限之际，该设计瞄准向800V直流配电的转型。
阅读更多 →英飞凌与英伟达推进面向AI数据中心的GaN电源方案
英飞凌与英伟达正扩大合作，共同开发面向800V直流AI数据中心的氮化镓（GaN）功率变换器。该合作将GaN半导体与PSoC控制器应用于开关频率最高可达1MHz的高压中间总线变换器，目标是在兆瓦级AI机架中提升功率密度并降低配电损耗。
阅读更多 →Enphase与英飞凌发布全球首款900 V GaN双向开关，面向AI数据中心固态变压器
Enphase Energy与英飞凌宣布推出全球首款900 V氮化镓（GaN）双向开关器件，面向AI数据中心固态变压器。该器件在低于1 kV的电压范围内实现高频开关和固有双向性，可减少功率路径元件数量、降低系统损耗，并支持800 V单极及未来1,500 V直流母线架构。900 V GaN平台还将延伸至商用太阳能逆变器等高性能功率转换应用。
阅读更多 →英飞凌将为英伟达800V数据中心供应氮化镓功率芯片
英飞凌扩大与英伟达在AI数据中心800V直流供电领域的合作，将供应氮化镓功率半导体及控制方案，用于把800V降至服务器板所需中间电压的高压中间总线转换器。该合作面向兆瓦级AI机架的更高功率密度与效率，并推动800V直流架构生态走向成熟。
阅读更多 →NVIDIA 开放 Vera Rubin 机架设计，以 800V 供电与光互连支撑更高密度 AI 数据中心
NVIDIA 已开放其 Vera Rubin 机架参考设计，瞄准下一代 AI 数据中心远高于以往的机架密度。该设计将 800V 供电架构与光互连相结合，以应对数百千瓦级 AI 机架的供电与带宽瓶颈。此举标志着行业正加速从传统交流配电向机架级高压直流（HVDC）供电转型。
阅读更多 →突破物理极限：单芯片1000W时代与中美AI算力及液冷的终极竞赛
文章分析了 AI 算力基础设施如何在架构层面被整体重建：800V 高压直流（HVDC）配电正取代因多级转换而损失 15%–20% 能量的传统 AC/DC 方案，并成为十万卡 GPU 集群的硬性要求，可将市电或绿电以 800V 直流直供机柜。与此同时，液冷被视为支撑极限密度 AI 机柜的另一项关键使能技术，中美两国在供电与散热的四条赛道上占据明显不同的产业位置...
阅读更多 →特变电工发布2.5MW固态变压器：中压直降、800V直流直出，发布即量产
中国特变电工发布2.5MW固态变压器，可将中压电直接降压为800V直流输出，且发布即启动量产。该产品面向AI算力数据中心：机架功率密度的持续攀升，正使传统低压直流供电架构在效率、占地与可扩展性上逼近极限，800V直流已成为业界公认的演进路径。
阅读更多 →Navitas 推出 2,300V SiC 功率模块系列及面向 NVIDIA MGX AI 数据中心的 24kW 800V 转 12V GaN 板卡
Navitas Semiconductor 发布了超高压 2,300V SiC 功率模块系列，并同步推出一款专为 NVIDIA MGX AI 数据中心系统打造的 24kW、800V 转 12V 供电板卡。这款基于 GaNFast 技术的板卡省去了整个中间电压转换环节，进一步扩展了 Navitas 面向 AI 机架供电应用的 800V HVDC 电源产品组合。
阅读更多 →英飞凌与英伟达扩大GaN功率器件合作，瞄准AI数据中心供电
英飞凌与英伟达深化了面向AI数据中心800V直流供电架构的合作，将2025年5月启动的原有合作扩展至以高压中间总线转换器（HV IBC）为重点。此次扩展将在高压IBC环节应用基于氮化镓（GaN）的系统级解决方案，以应对AI机架不断攀升的功率密度需求，预计将于2027年开始逐步部署。
阅读更多 →Navitas 推出面向电网与 AI 数据中心的 2300 伏、8 mΩ 碳化硅模块
Navitas 发布 2300 伏碳化硅（SiC）功率模块 G4H08MT23GB4，标称导通电阻仅 8 毫欧，同时面向公用事业电网与 AI 数据中心的供电链路，旨在支撑行业向 800V 高压直流（HVDC）架构及更高密度功率变换的转型。它触及了 AI 基础设施中一个较少被讨论却至关重要的层面——GPU、内存与网络之外的功率层。
阅读更多 →英飞凌携手英伟达，将氮化镓推向800V AI数据中心的核心
英飞凌科技正扩大与英伟达的合作，为下一代800V高压直流（HVDC）AI数据中心架构开发基于氮化镓（GaN）的电源转换系统。此次合作聚焦于电源输送链路中负责降压的高压中间总线转换器（HV IBC），旨在以更简洁、更高密度的800V直流设计，取代当今多级、低效的电源转换拼凑方案。这一举措将氮化镓定位为英伟达即将推出的AI平台中机架级供电的关键使能技术。
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