Power Integrations展示全球首款2200V GaN技术,引领下一代高压电力系统
电源集成公司宣布在氮化镓(GaN)技术上取得重大突破,其专有PowiGaN技术电压额定值高达2200V。这一进展为下一代高压电源转换系统铺平了道路,并将对AI数据中心电源基础设施产生深远影响。
阅读更多 →HVDC与AI数据中心供电领域的最新动态
电源集成公司宣布在氮化镓(GaN)技术上取得重大突破,其专有PowiGaN技术电压额定值高达2200V。这一进展为下一代高压电源转换系统铺平了道路,并将对AI数据中心电源基础设施产生深远影响。
阅读更多 →最新技术分析探讨了将大电流碳化硅(SiC)功率模块集成到多兆瓦固态变压器(SST)架构中的方案。该设计实现了中压到800伏直流电的直接转换,有效应对了AI数据中心对功率密度和效率日益增长的需求。
阅读更多 →英飞凌与SolarEdge正合作开发基于碳化硅JFET的固态断路器(SSCB)技术。该创新旨在解决AI数据中心日益普及800V直流电源架构时所面临的关键保护挑战。
阅读更多 →SolarEdge Technologies宣布,其用于AI数据中心的中压至800V直流转换级现已实现带载运行。此外,该公司与英伟达合作发布了一项800V直流保护框架,旨在提升下一代AI计算基础设施的安全性和效率。
阅读更多 →英飞凌与SolarEdge正扩大合作关系,共同开发专为800VDC AI数据中心设计的固态断路器技术。此次合作旨在解决高密度计算环境中,与下一代高压直流电源架构相关的关键安全和保护挑战。
阅读更多 →西门子与莱茵豪森正推进固态变压器研发,以支持高密度AI数据中心的36kV至800VDC电能转换。这一战略举措反映了现代AI基础设施庞大电力需求所驱动的可控中压电力电子设备日益增长的商业需求。
阅读更多 →受AI数据中心加速采用400-800V系统的推动,碳化硅(SiC)断路器市场预计将实现大幅增长。Wolfspeed推出首款商用10 kV SiC固态断路器等行业里程碑,凸显了SiC半导体在实现下一代计算基础设施高效、高压配电与保护方面的关键作用。
阅读更多 →IDC 2026上海国际液冷展聚焦AI高算力芯片的先进热管理技术,涵盖冷板、浸没式及相变液冷等解决方案。展会重点展示了800V高压直流与液冷技术的协同效应,旨在实现PUE≤1.1的严苛目标,从而突破高密度AI机架传统供电架构的物理极限。
阅读更多 →9月4日,中国七部委联合印发数字化与绿色化协同转型实施方案,明确支持800V高压直流(HVDC)技术。这一政策举措被视为AI数据中心电力基础设施的历史性转折点,将加速高效配电系统的普及应用。
阅读更多 →伟创力已签署最终协议,以44亿美元收购电力电子公司EPC Power,以加速800V数据中心电源系统的开发与部署。此次收购凸显了行业向更高电压架构转变的趋势,以满足AI数据中心不断增长的能源需求。
阅读更多 →中国七部委联合发布2026-2030年实施方案,明确提出探索AI算力设施采用800V高压直流供电架构。该政策还大力支持部署液冷系统及单机柜功率超100kW的设备,旨在推动数据中心供电与散热供应链的全面升级。
阅读更多 →本文探讨了AI数据中心为满足激增的算力需求,向800V高压直流(HVDC)电源架构转型的趋势。文章全面分析了碳化硅(SiC)半导体技术与高效测试方法在实现这些高密度、高效率电源系统中的关键作用。
阅读更多 →9月4日,中国七部门联合发布2026-2030年数字化与绿色化协同转型发展规划,明确提出探索算力设施800V高压直流(HVDC)供电架构。这一政策转向受下一代AI算力日益增长的功耗需求驱动,传统54V机架级供电已遇瓶颈,800V直流电成为降低中间转换损耗、支撑超高密度部署的必由之路。
阅读更多 →美国商务部拟对碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率器件实施更严格的出口管制,这将直接影响AI数据中心800V高压直流(HVDC)配电系统的架构演进。此举旨在管控宽禁带半导体材料的全球流动,预计将引发供应链重组并加速相关技术的本土化制造进程。
阅读更多 →包括国家网信办在内的七部门联合发布计划,旨在推动计算基础设施的绿色低碳发展。该计划重点提出探索800V高压直流供电架构,以支持单机柜功率超100kW的AI高密度算力部署。
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