概述：博世激进的SiC扩张战略

在2026年第六届汽车半导体生态大会上，博世功率半导体产品高级经理兼全球碳化硅数据中心业务负责人王俊岳概述了公司碳化硅（SiC）业务的变革性路线图。面对高压电力系统激增的市场需求，博世宣布计划在未来六年内将其全球SiC制造产能扩大20倍。这一激进的扩张战略旨在同步推进汽车电气化以及AI数据中心（AIDC）快速攀升的电力需求。

技术细节：沟槽架构的优势

博世SiC战略的核心是坚定不移地致力于沟槽架构，与业界主流的平面结构相比，这是一条更为复杂但技术上更优越的路径。王俊岳强调，虽然平面设计具有简单性，但沟槽路线能带来显著更优的总体拥有成本（TCO）和更均衡的成本效益比。在单位面积上，沟槽芯片可输出更高电流，这意味着在同等性能下所需的芯片面积更小。凭借自2002年SiC研发初期以来在IGBT和MOSFET沟槽工艺方面积累的深厚技术底蕴，博世将其独特的沟槽专业技术直接整合到外延阶段，确保外延和芯片制造均严格在内部完成。

生产里程碑：汽车主驱应用的成功

博世的技术自信在其市场部署中得到了充分体现。与竞争对手遵循从工业到汽车或从辅助驱动到主驱的渐进式过渡不同，博世从首款SiC芯片开始就瞄准了最严苛的应用——汽车主驱逆变器。自2021年实现这些逆变器的量产以来，该公司已达到令人瞩目的可靠性指标。博世已累计出货约8000万颗SiC芯片，且报告的故障率为零。此外，每一代模块的累计出货量均已超过1400万个，验证了其沟槽技术在极端汽车环境下的稳健性。

产能布局：20倍扩张与全球晶圆厂版图

为支持这一双市场战略，博世正大幅扩大其制造版图。该公司目前在德国和美国运营着两座完全采用8英寸SiC晶圆的晶圆厂，其中美国工厂计划于2026年底投产。展望未来，2024年至2030年期间，全球SiC产能将实现20倍的扩张。这一大规模产能提升旨在吸收AIDC领域的爆发式需求，同时满足全球汽车OEM严格的产量要求。

对AI数据中心的影响：AIDC电力革命

鉴于人工智能基础设施的巨大功耗，博世于2026年7月1日正式启动了全球AI数据中心业务。王俊岳指出，AIDC将消耗新扩张SiC产能的很大一部分。这一转型的核心是固态变压器（SST），它代表了数据中心电力管理的未来方向。王俊岳将SST描述为“几乎是一个完整的SiC应用解决方案”，强调了宽带隙半导体在未来AI设施的高效电力转换系统中的深度融合趋势。

未来展望：至2031年的代际路线图

博世的产品演进路线图确保了在产能扩张的同时实现持续的性能提升。该公司目前正在部署其第二代SiC芯片。第三代产品计划于2027年量产，有望在效率和功率密度方面实现进一步提升。展望本十年代的后半期，博世已规划在2029年和2031年推出更先进的沟槽技术迭代版本。这种严谨的长期创新周期将确保博世在汽车电气化以及全球AI繁荣所需的关键电力基础设施领域始终保持领先地位。