英飞凌推进面向800 VDC AI数据中心的GaN功率技术
英飞凌与英伟达正围绕800 VDC AI数据中心供电架构，联合推进基于氮化镓（GaN）的中间总线变换器（IBC）方案。随着AI机架功率水平持续攀升并逼近兆瓦级，该合作聚焦于提升功率密度与转换效率，同时兼顾高压架构下的供电路径保护与可维护性。
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Allegro MicroSystems推出面向可持续800V AI数据中心的新型电源与散热解决方案
Allegro MicroSystems发布面向800V AI数据中心架构的电源与散热解决方案组合，涵盖电流传感、栅极驱动和面向高密度机架的热管理。随着数据中心从54V向800V直流配电迁移，这些器件旨在帮助运营商和OEM降低转换损耗并提升能效。
阅读更多 →英飞凌推出面向800V AI数据中心的12kW高压配电板
英飞凌发布了一款12kW高压配电板参考设计，面向800V AI数据中心供电架构。该平台将高压保护、中间总线变换、功率调节与遥测管理集成于单块板卡，以支持更高密度的AI机架。在AI负载将传统交流供电设计推向极限之际，该设计瞄准向800V直流配电的转型。
阅读更多 →英飞凌与英伟达推进面向AI数据中心的GaN电源方案
英飞凌与英伟达正扩大合作，共同开发面向800V直流AI数据中心的氮化镓（GaN）功率变换器。该合作将GaN半导体与PSoC控制器应用于开关频率最高可达1MHz的高压中间总线变换器，目标是在兆瓦级AI机架中提升功率密度并降低配电损耗。
阅读更多 →Enphase与英飞凌发布全球首款900 V GaN双向开关，面向AI数据中心固态变压器
Enphase Energy与英飞凌宣布推出全球首款900 V氮化镓（GaN）双向开关器件，面向AI数据中心固态变压器。该器件在低于1 kV的电压范围内实现高频开关和固有双向性，可减少功率路径元件数量、降低系统损耗，并支持800 V单极及未来1,500 V直流母线架构。900 V GaN平台还将延伸至商用太阳能逆变器等高性能功率转换应用。
阅读更多 →英飞凌将为英伟达800V数据中心供应氮化镓功率芯片
英飞凌扩大与英伟达在AI数据中心800V直流供电领域的合作，将供应氮化镓功率半导体及控制方案，用于把800V降至服务器板所需中间电压的高压中间总线转换器。该合作面向兆瓦级AI机架的更高功率密度与效率，并推动800V直流架构生态走向成熟。
阅读更多 →Navitas 推出 2,300V SiC 功率模块系列及面向 NVIDIA MGX AI 数据中心的 24kW 800V 转 12V GaN 板卡
Navitas Semiconductor 发布了超高压 2,300V SiC 功率模块系列，并同步推出一款专为 NVIDIA MGX AI 数据中心系统打造的 24kW、800V 转 12V 供电板卡。这款基于 GaNFast 技术的板卡省去了整个中间电压转换环节，进一步扩展了 Navitas 面向 AI 机架供电应用的 800V HVDC 电源产品组合。
阅读更多 →英飞凌与英伟达扩大GaN功率器件合作，瞄准AI数据中心供电
英飞凌与英伟达深化了面向AI数据中心800V直流供电架构的合作，将2025年5月启动的原有合作扩展至以高压中间总线转换器（HV IBC）为重点。此次扩展将在高压IBC环节应用基于氮化镓（GaN）的系统级解决方案，以应对AI机架不断攀升的功率密度需求，预计将于2027年开始逐步部署。
阅读更多 →Navitas 推出面向电网与 AI 数据中心的 2300 伏、8 mΩ 碳化硅模块
Navitas 发布 2300 伏碳化硅（SiC）功率模块 G4H08MT23GB4，标称导通电阻仅 8 毫欧，同时面向公用事业电网与 AI 数据中心的供电链路，旨在支撑行业向 800V 高压直流（HVDC）架构及更高密度功率变换的转型。它触及了 AI 基础设施中一个较少被讨论却至关重要的层面——GPU、内存与网络之外的功率层。
阅读更多 →英飞凌携手英伟达，将氮化镓推向800V AI数据中心的核心
英飞凌科技正扩大与英伟达的合作，为下一代800V高压直流（HVDC）AI数据中心架构开发基于氮化镓（GaN）的电源转换系统。此次合作聚焦于电源输送链路中负责降压的高压中间总线转换器（HV IBC），旨在以更简洁、更高密度的800V直流设计，取代当今多级、低效的电源转换拼凑方案。这一举措将氮化镓定位为英伟达即将推出的AI平台中机架级供电的关键使能技术。
阅读更多 →英飞凌携手英伟达，为 800VDC AI 数据中心打造基于氮化镓的功率转换系统
英飞凌宣布深化与英伟达的合作，基于氮化镓（GaN）功率半导体推进面向 AI 数据中心的 800VDC 供电架构。英飞凌的 GaN 产品组合覆盖高压 IBC 级所需的全部转换比——包括 800V 转 50V、800V 转 12V 与 800V 转 6V——在提升效率与功率密度、降低散热需求的同时为运营商提供灵活性。英伟达则强调 800V HVDC 系统可在整个...
阅读更多 →数据中心迈向800V：Microchip与Navitas携手推动架构转型
Microchip Technology与Navitas Semiconductor联合推出面向AI数据中心机架供电应用的800V DC转6V DC参考设计，省去了一级电源转换环节。该设计配套提供参考板、软件与设计文档，帮助开发者评估并加速部署800V直流电源转换系统。此举反映出全行业正从48V/54V架构向适用于兆瓦级机架的高压直流配电体系迁移。
阅读更多 →英飞凌续签Wolfspeed协议：8英寸SiC竞争从器件转向衬底
英飞凌与Wolfspeed续签了200毫米碳化硅（SiC）晶圆供应协议，标志着市场竞争重心向衬底制造转移。尽管电动汽车一直是市场的主要驱动力，但2026年的行业现状表明，AI数据中心正成为SiC功率半导体的关键新需求引擎。
阅读更多 →高压回归：Navitas重塑AI数据中心供电架构
纳微半导体发布了与英伟达联合开发的24千瓦电源分配板，利用氮化镓技术显著提升了AI数据中心的电源效率。这一创新凸显了行业向高压架构和先进宽禁带半导体的转变，以应对下一代AI工作负载不断增长的能源需求。
阅读更多 →纳微与英伟达推出24kW 800V转12V电源板
纳微半导体与英伟达合作，利用先进的氮化镓技术共同开发了一款24kW、800V转12V的电源板。该项创新优化了AI数据中心从电网接口到处理器级供电的整个电源链路。
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