英飞凌科技

英飞凌 CoolSiC™ 1200V MOSFET - 碳化硅功率器件

英飞凌的CoolSiC™ 1200V MOSFET是碳化硅功率半导体，与硅基IGBT相比，实现显著更高的效率和功率密度。应用于HVDC电源、服务器整流器和EV充电基础设施，这些SiC器件将开关损耗降低高达80%，使数据中心和工业...

英飞凌 PrimePACK™ IGBT - 电网级IGBT模块

英飞凌的PrimePACK™ IGBT模块是专为电网级功率转换应用设计的大功率半导体模块，包括HVDC输电、风力发电和工业驱动。电压等级最高6.5kV，电流等级最高1200A，为重载工业和电力级电力系统提供可靠、高效的功率开关。