Neueste Entwicklungen im Bereich HVDC und KI-Rechenzentrumsstrom
Navitas Semiconductor und NVIDIA arbeiten zusammen, um 800V-Stromversorgungsarchitekturen für KI-Rechenzentren voranzutreiben und dabei ein beispielloses Maß an Energieeffizienz zu...
Weiterlesen →Navitas Semiconductor arbeitet mit Nvidia an der Entwicklung eines 800-V-zu-12-V-Netzteils für KI-Rechenzentren der nächsten Generation. Die Partnerschaft nutzt die Galliumnitrid- ...
Weiterlesen →Infineon hat den XDP8HD40S-1 eingeführt, einen neuen Hochspannungs-Hot-Swap-Controller, der speziell für 800-VDC-KI-Rechenzentrumsarchitekturen entwickelt wurde. Diese Erweiterung ...
Weiterlesen →Renesas hat einen neuen 650V-GaN-FET mit doppelseitiger Kühlung eingeführt, der speziell entwickelt wurde, um die strengen thermischen und räumlichen Einschränkungen in 800V-Stromv...
Weiterlesen →Renesas Electronics hat sein GaN-Produktportfolio um eine neue 100-V-Anreicherungstyp-GaN-Hochleistungs-Transistorserie erweitert. Diese Niedervolt-GaN-FETs sind speziell für KI-Re...
Weiterlesen →Navitas Semiconductor und Microchip Technology haben ein Referenzdesign vorgestellt, das 800V-Gleichstrom speziell für KI-Rechenzentren in 6V-Gleichstrom umwandelt. Die Lösung nutz...
Weiterlesen →Infineon Technologies liefert Siliziumkarbid (SiC)-Leistungshalbleiter an Eaton für dessen neuesten Festkörpertransformator, der für 800V-KI-Rechenzentren konzipiert ist. Diese Zus...
Weiterlesen →Renesas Electronics hat das branchenweit erste 650V-GaN-Leistungsbauelement im Depletion-Modus mit beidseitiger Kühlung vorgestellt, das für hochdichte 800V-Stromarchitekturen in K...
Weiterlesen →Eaton arbeitet mit Infineon Technologies zusammen, um Siliziumkarbid (SiC)-Leistungshalbleiter in seine Mittelspannungs-Feststofftransformator-Plattform zu integrieren. Diese strat...
Weiterlesen →Wise Integration und Navitas Semiconductor haben eine Partnerschaft geschlossen, um digitale Leistungssteuerung mit Galliumnitrid- (GaN) und Siliziumkarbid- (SiC) Technologien zu k...
Weiterlesen →Da der Leistungsbedarf von KI-Racks die 200-kW-Marke überschreitet, stößt die herkömmliche 48-V-Gleichstromverteilung an kritische Grenzen, was einen Übergang zu Hochspannungsarchi...
Weiterlesen →Der Artikel hebt die kritische Rolle von Leistungshalbleitern aus Galliumnitrid (GaN) und Siliziumkarbid (SiC) in KI-Rechenzentren und Servern hervor. Er erläutert, warum diese unv...
Weiterlesen →onsemi hat ehrgeizige Finanzziele bekannt gegeben und strebt an, bis 2030 einen Umsatz von 2,5 Milliarden US-Dollar mit KI-Rechenzentren bei verbesserten Margen zu erzielen. Die St...
Weiterlesen →Bosch plant, seine Produktionskapazität für Siliziumkarbid (SiC) in den nächsten sechs Jahren um das 20-fache zu steigern, um die stark steigende Marktnachfrage zu bedienen. Diese ...
Weiterlesen →Navitas plant die Übernahme von Claros für 232,8 Millionen US-Dollar, um seine GaN- und SiC-Strategie zu erweitern und zielt dabei auf die letzte Stufe der Stromversorgung ab 800-V...
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