Überblick über die erweiterte Zusammenarbeit

Infineon Technologies und SolarEdge Technologies haben ihre strategische Zusammenarbeit erheblich ausgeweitet, um fortschrittliche Festkörper-Leistungsschalter-Technologie (SSCB) zu entwickeln. Diese gemeinsame Initiative richtet sich speziell an die Hochspannungs-Gleichstrom- (DC-)Verteilung in KI- und Hyperscale-Rechenzentren. Die Partnerschaft soll kritische Schutzherausforderungen adressieren, die rasch aufkommen, während die Branche zu 800-VDC-Stromarchitekturen übergeht. Im Rahmen dieser erweiterten Zusammenarbeit führt SolarEdge die Entwicklung der umfassenden SSCB-Lösung an, während Infineon die grundlegende Siliziumkarbid- (SiC-) JFET-Technologie liefert, die für diese Schutzgeräte der nächsten Generation erforderlich ist.

Technische Funktionsweise von Festkörper-Leistungsschaltern

Der Schutz von Gleichstromsystemen stellt grundlegend andere technische Herausforderungen dar als herkömmliche Wechselstrom- (AC-)Architekturen. Da Gleichstrom keinen natürlichen Nulldurchgang des Stroms aufweist, ist die mechanische Unterbrechung aufgrund des anhaltenden Risikos eines Dauerlichtbogens inhärent schwieriger. Folglich benötigen herkömmliche elektromechanische Leistungsschalter erheblich mehr Zeit, um einen Fehler sicher zu unterbrechen. Festkörper-Leistungsschalter umgehen diese physikalische Einschränkung, indem sie DC-Fehler innerhalb weniger Mikrosekunden erkennen und unterbrechen, völlig ohne mechanische Kontakte. Dieser ultraschnelle Reaktionsmechanismus ist entscheidend, um Fehler zu isolieren, bevor sie sich im Stromverteilungsnetz ausbreiten. Darüber hinaus gewährleistet er die Selektivität im gesamten System und reduziert das Risiko katastrophaler Schäden an empfindlicher Rechen- und Stromversorgungstechnik erheblich.

Aufbau auf der Grundlage des Festkörper-Transformators

Die Entwicklung dieser neuen SSCB-Technologie baut direkt auf der früheren Zusammenarbeit der Unternehmen bezüglich der Festkörper-Transformer-Plattform (SST) von SolarEdge auf, die im November 2025 offiziell angekündigt wurde. Die SST-Plattform wurde entwickelt, um Mittelspannungsleistung im Bereich von 13,8 kV bis 34,5 kV direkt in 800 bis 1.500 VDC umzuwandeln. Diese hocheffiziente Architektur soll die Anzahl der Umwandlungsstufen zwischen dem Stromnetz und der IT-Last drastisch reduzieren und dabei Umwandlungswirkungsgrade von mehr als 99 Prozent erreichen. Die neu angekündigte SSCB-Entwicklung wird sich speziell auf die Verteilungsebene zwischen dem Festkörper-Transformer und dem Rechenschrank konzentrieren und die bestehende Arbeit an einer umfassenden DC-nativen Stromarchitektur ergänzen.

Marktkontext: Der Übergang zu 800-VDC-Architekturen

Der branchenweite Trend hin zur Gleichstromverteilung mit höherer Spannung wird aggressiv durch den exponentiellen Anstieg der KI-Rechenleistungsdichte und die steigenden Strombedürfnisse moderner Rechenzentrumsinfrastrukturen angetrieben. Da die Leistungsniveaus der Racks und die Gesamtlasten der Anlagen weiter steigen, wird die Reduzierung der Umwandlungsstufen für die wirtschaftliche Tragfähigkeit immer wichtiger. Eine DC-basierte Architektur minimiert nicht nur Umwandlungsverluste, sondern reduziert auch die physische Ausrüstung, die in der gesamten Stromkette erforderlich ist, erheblich. Folglich prüfen Rechenzentrumsbetreiber und Infrastrukturanbieter DC-Architekturen mit höherer Spannung aktiv als hocheffektive Alternative zu herkömmlichen Stromverteilungsdesigns für anspruchsvolle KI-Workloads.

Auswirkungen auf den Betrieb von KI-Rechenzentren

Für KI-Rechenzentren erfordert der Betrieb hochdichter Infrastrukturen bei 800 VDC kompromisslose Effizienz und robusten Schutz. Shuki Nir, Chief Executive Officer von SolarEdge, hob hervor, dass der Festkörperschutz den Betreibern ermöglichen wird, eine ultraschnelle und zuverlässige Fehlerisolierung zu erreichen, ohne die Umwandlungsleistung zu opfern, und bemerkte, dass die Siliziumkarbid-Technologie von Infineon dies im großen Maßstab praktikabel macht. Andreas Weisl, Executive Vice President und Chief Sales Officer, Industrial & Infrastructure bei Infineon, betonte, dass das Wachstum der KI-Infrastruktur die Notwendigkeit schnellerer Stromverteilungssysteme erhöht. Durch die direkte Erweiterung des Schutzes auf das Rack unterstützt die Architektur höhere Leistungsdichten bei gleichzeitiger strenger Begrenzung elektrischer Verluste.

Zukunftsausblick für die DC-Stromverteilung

Mit Blick auf die Zukunft positionieren die Unternehmen die SSCB-Technologie als unverzichtbaren Bestandteil eines End-to-End-DC-Antriebsstrangs, der sich nahtlos von der Mittelspannungs-Netzanbindung bis hin zum Rechenschrank erstreckt. Schnellerer Fehlerschutz wird eine Schlüsselvoraussetzung bleiben, wenn diese fortschrittlichen Architekturen erfolgreich bei höheren Leistungsniveaus eingesetzt werden sollen. Die Integration von SiC-JFET-basierten SSCBs wird sicherstellen, dass die Branche die strengen Zuverlässigkeits- und Geräteschutzstandards aufrechterhalten kann, die für die nächste Generation von Hyperscale-KI-Rechenumgebungen erforderlich sind.