Überblick über die erweiterte Zusammenarbeit

Am 9. September 2026 gaben die Infineon Technologies AG und SolarEdge Technologies, Inc. eine bedeutende Erweiterung ihrer Zusammenarbeit zur Weiterentwicklung der Halbleiter-Leistungsschalter-Technologie (Solid-State Circuit Breaker, SSCB) bekannt. Diese strategische Partnerschaft ist speziell auf die Hochspannungs-Gleichstromverteilung innerhalb von KI- und Hyperscale-Rechenzentren zugeschnitten. Die Kooperation adressiert direkt eine kritische technische Herausforderung bei der Einführung der 800-Volt-Gleichstrom-Architektur (VDC): die Gewährleistung des sicheren Betriebs einer zunehmend leistungsdichten Infrastruktur durch eine extrem schnelle Fehlerisolierung.

Technische Details von Halbleiter-Leistungsschaltern

Der Kern dieser Zusammenarbeit liegt in der Überwindung der grundlegenden Unterschiede zwischen dem Wechselstrom- (AC) und dem Gleichstromschutz (DC). Im Gegensatz zu herkömmlichen Wechselstromsystemen weisen Gleichstromkreise keinen natürlichen Nulldurchgang des Stroms auf, was eine mechanische Unterbrechung aufgrund von Lichtbögen und vergleichsweise langsamen Reaktionszeiten äußerst schwierig macht. Um dies zu lösen, wurde die neu entwickelte SSCB-Technologie so konzipiert, dass sie Gleichstromfehler um Größenordnungen schneller unterbricht als herkömmliche elektromechanische Leistungsschalter. Diese Halbleiterbauelemente arbeiten innerhalb weniger Mikrosekunden und verfügen über keine mechanischen Kontakte, die getrennt werden müssen, was die Selektivität bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung eines hohen Wirkungsgrads gewährleistet. In diesem gemeinsamen Projekt führt SolarEdge die Entwicklung der SSCB-Lösung an, während Infineon seine fortschrittliche Siliziumkarbid-Technologie (SiC) in Form von JFETs bereitstellt – speziell seine CoolSiC-JFET-Bauelemente, die das Kernstück der Schutzhardware bilden.

Integration in Festkörper-Transformer-Plattformen

Diese neueste Entwicklung baut direkt auf der Festkörper-Transformer-Plattform (Solid-State Transformer, SST) auf, die Infineon-SiC-Komponenten nutzt und erstmals im November 2025 vorgestellt wurde. Der SST ist darauf ausgelegt, die direkte Umwandlung von Mittelspannung (13,8–34,5 kV) auf 800–1500 VDC bei einem Wirkungsgrad von über 99 Prozent zu ermöglichen. Durch die Zusammenführung mehrerer Umwandlungsstufen in einer einzigen, kompakten Lösung reduziert der SST den Platzbedarf der Stromversorgungsinfrastruktur erheblich. Die Erweiterung um die SSCB-Technologie schließt eine kritische Lücke in der Verteilungsebene zwischen dem SST und dem Compute-Rack und treibt so eine umfassende, netzseitig bis zum Rack reichende, native Gleichstrom-Stromarchitektur voran.

Marktkontext und industrielle Herausforderungen

Der Trend hin zu einer Gleichstromverteilung mit höheren Spannungen wird durch die rapide steigende Rechenleistungsdichte von KI-Systemen aggressiv vorangetrieben. Da die Dateninfrastrukturen komplexer werden, werden sie auch anfälliger für elektrische Fehler. Andreas Weisl, Executive Vice President und Chief Sales Officer des Bereichs Industrial and Infrastructure bei Infineon, betonte, dass diese Anfälligkeit die Nachfrage nach intelligenteren, schnelleren und robusteren Stromverteilungssystemen antreibt. Die Industrie sucht aktiv nach Alternativen zu herkömmlichen Wechselstromarchitekturen, um den massiven Strombedarf moderner KI-Workloads zu bewältigen, ohne dabei Sicherheit oder Thermomanagement zu gefährden.

Auswirkungen auf KI-Rechenzentren

Für KI-Rechenzentren bietet der Übergang zu 800 VDC mit Halbleiter-Schutz mehrere entscheidende Vorteile:

  • Extrem schnelle Fehlerisolierung im Mikrosekundenbereich zum Schutz hochwertiger Rechentechnik.
  • Eliminierung mechanischer Kontakte, wodurch die bei der Gleichstromunterbrechung inhärenten Lichtbogenprobleme vermieden werden.
  • Unterstützung kompakterer und dichterer Gleichstrom-Verteilungsdesigns.

Shuki Nir, Chief Executive Officer von SolarEdge, betonte, dass eine hochdichte KI-Infrastruktur bei 800 VDC kompromisslose Effizienz und Schutz erfordert. Die Integration der SSCB-Technologie ermöglicht es Betreibern, eine extrem schnelle und zuverlässige Fehlerisolierung zu erreichen, ohne die Umwandlungsleistung zu opfern, was die Siliziumkarbid-Technologie im großen Maßstab praxistauglich macht.

Zukunftsausblick für native Gleichstrom-Stromarchitekturen

Mit Blick auf die Zukunft ebnet die Zusammenarbeit den Weg für eine vollständig native Gleichstrom-Stromarchitektur. SolarEdge entwickelt unter Nutzung von mehr als 15 Jahren Führungsposition bei gleichstromgekoppelten Leistungselektroniken einen 800-VDC-Powertrain für KI-Fabriken. Diese native Gleichstromkette ist so konzipiert, dass sie die Leistung nahtlos von der Mittelspannungs-Netzverbindung über Umwandlung, Verteilung und Schutz direkt bis zum Compute-Rack leitet. Unterstützt durch das breite Portfolio von Infineon an Silizium-, Siliziumkarbid- und Galliumnitrid-Lösungen unterstützt dieser umfassende Ansatz die Dekarbonisierung der KI-Infrastruktur. Letztlich wird der gemeinsame Fokus auf geringere Verluste, reduzierte Umweltauswirkungen und verbesserte Gesamtbetriebskosten die nächste Generation nachhaltiger, leistungsstarker Rechenzentren definieren.