SiC-MOSFETs & Module
Infineon CoolSiC™ 1200V MOSFET - Siliziumkarbid-Leistungsbauelement
Beschreibung
Infineon's CoolSiC™ 1200V MOSFET ist ein Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter, der deutlich höhere Effizienz und Leistungsdichte im Vergleich zu siliziumbasierten IGBTs ermöglicht. Eingesetzt in HVDC-Netzteilen, Server-Gleichrichtern und EV-Ladeinfrastruktur reduzieren diese SiC-Bauelemente die Schaltverluste um bis zu 80% und ermöglichen kleinere, leichtere und energieeffizientere Stromwandlungssysteme für Rechenzentren und Industrieanwendungen.
Merkmale
- 1200V SiC MOSFET-Technologie
- Bis zu 80% niedrigere Schaltverluste
- Höhere Frequenzbetrieb
- Kleinere passive Bauteile
- Verbesserte Systemeffizienz
Anwendungen
- HVDC-Netzteile
- Server-Gleichrichter
- EV-Ladung
- Solar-Wechselrichter
- Industrieantriebe