Überblick über die Zusammenarbeit von Navitas und NVIDIA

Navitas Semiconductor und NVIDIA haben einen bedeutenden Durchbruch in der Infrastruktur von KI-Rechenzentren mit der Entwicklung einer 24-kW-Stromverteilungsplatine (PDB) von 800 VDC auf 12 VDC bekannt gegeben. Die am 15. Oktober 2026 vorgestellte fortschrittliche Plattform nutzt die GaNFast-Technologie von Navitas, um die Stromversorgung für KI-Workloads der nächsten Generation zu optimieren. Die Lösung ist für die nahtlose Integration in das NVIDIA MGX-Ökosystem konzipiert und vereinfacht die komplexen Leistungsanforderungen von Hochleistungs-Computing-Prozessoren, die allgemein als xPUs bezeichnet werden. Diese gemeinsame Anstrengung unterstreicht einen strategischen Vorstoß in Richtung effizienterer Hochdichte-Stromarchitekturen, und die Plattform wird auf dem OCP Global Summit 2026 im Partnerdisplay-Bereich von NVIDIA AI Factory MGX Wall vorgestellt.

Technische Architektur und einstufige Wandlung

Im Kern dieser Innovation steht eine hocheffiziente einstufige Wandlungsarchitektur. Im Gegensatz zu herkömmlichen Designs, die sich auf einen konventionellen 50-V-auf-12-V-Zwischenbuswandler (IBC) verlassen, wandelt die neue PDB 800 VDC direkt in 12 VDC um. Diese architektonische Verschiebung reduziert die Anzahl der Wandlungsschritte grundlegend, wodurch Leistungsverluste minimiert und die Gesamtzahl der Bauteile verringert werden. Der resultierende 12-V-Ausgang speist direkt in das Spannungsreglermodul (VRM), das anschließend die von den xPUs benötigten präzisen Point-of-Load-Spannungen bereitstellt. Durch den Wegfall der Zwischenstufe verbessert das Design nicht nur den Gesamtwirkungsgrad und die Zuverlässigkeit des Systems, sondern reduziert auch den Platzbedarf auf der Platine erheblich und optimiert so das Stromverteilungsnetz im Compute-Tray.

GaNFast-Leistungsstufe und Komponenten-Spezifikationen

Die primärseitige Leistungsstufe der 24-kW-PDB basiert auf fortschrittlicher Galliumnitrid (GaN)-Technologie und verwendet speziell 16 NV6034 GaNFast-FETs. Jedes dieser Bauelemente ist für 650 V mit einem Einschaltwiderstand von 18 mΩ ausgelegt und bietet die hohe Schaltleistung, die für kompakte Hochleistungs-Wandlungssysteme erforderlich ist. Um die thermischen Herausforderungen zu bewältigen, die mit solch hohen Leistungsdichten verbunden sind, sind die FETs in einer gestapelten Halbbrücken-Topologie angeordnet und in Navitas' dual-gekühltes 8 mm × 8 mm DFN-Gehäuse eingebaut. Diese spezielle Verpackung und Topologie gewährleisten eine optimale Wärmeableitung, unterstützen die strengen thermischen und elektrischen Anforderungen der KI-Infrastruktur der nächsten Generation und verschieben dabei die Grenzen der Leistungsdichte.

Formfaktor und Integration für KI-Compute-Trays

Die physische Integration ist ein kritischer Faktor im modernen KI-Rechenzentrumsdesign, und die neue PDB adressiert dies durch die strikte Einhaltung des 400 mm × 60 mm Formfaktors von NVIDIA. Dieser standardisierte Footprint ermöglicht es, die Platine direkt auf dem Compute-Mainboard zu integrieren, in unmittelbarer Nähe zu den xPUs. Die Platzierung des Stromversorgungssystems in der Nähe der Prozessoren reduziert die Leistungsverluste und parasitären Impedanzen drastisch, was für die Unterstützung des extremen Strombedarfs von KI-Chips der nächsten Generation unerlässlich ist. Darüber hinaus zielt die Plattform auf einen bemerkenswerten Volllastwirkungsgrad von 97 % und eine Leistungsdichte von über 2.000 W/in³ ab, was das Design von Hochleistungs-Compute-Trays vereinfacht und den verfügbaren physischen Platz im Serverschrank maximiert.

Marktkontext und die Umstellung auf 800V-DC-Verteilung

Dieses neue 24-kW-Board erweitert das wachsende Portfolio von Navitas an 800-VDC-Stromversorgungslösungen und baut auf der zuvor angekündigten 20-kW-Stromverteilungsplatine von 800 V auf 6 V auf, die ebenfalls mit NVIDIA entwickelt wurde. Beide Plattformen unterstreichen einen breiteren Branchenübergang hin zur Hochspannungs-Gleichstromverteilung in KI-Rechenzentren. Da KI-Workloads exponentiell skalieren, werden die Grenzen der herkömmlichen Niederspannungsverteilung zunehmend offensichtlich, was zu höheren Stromstärken und entsprechenden I²R-Verlusten führt. Durch die Einführung von 800V-DC-Architekturen und die Nutzung von Halbleitern mit breiter Bandlücke wie GaN und Siliziumkarbid (SiC) können Rechenzentrumsbetreiber die Kabelquerschnitte drastisch reduzieren, Übertragungsverluste minimieren und die Gesamtenergieeffizienz der Anlage von der Netzschnittstelle bis auf Rack-Ebene verbessern.

Zukunftsausblick für die Stromversorgung in KI-Rechenzentren

Mit Blick auf die Zukunft fügt die 800-V-auf-12-V-PDB dem breiteren KI-Stromportfolio von Navitas entscheidende Flexibilität hinzu. Sie ermöglicht Systemdesignern die Auswahl von Zwischenbus-Spannungen und Spannungsregler-Architekturen, die auf ihre spezifischen Point-of-Load-Anforderungen zugeschnitten sind. Diese Modularität ist von entscheidender Bedeutung, da sich KI-Prozessorarchitekturen in rasantem Tempo weiterentwickeln. Die Plattform unterstützt nachdrücklich das strategische Ziel von Navitas, herkömmliche Silizium-Leistungsbauelemente durch GaN- und SiC-Technologien in der gesamten Stromversorgungskette zu ersetzen. Während die Branche auf immer dichtere und leistungsstärkere KI-Fabriken hinarbeitet, werden Innovationen wie diese 24-kW-GaN-basierte PDB von entscheidender Bedeutung sein, um sicherzustellen, dass die Stromversorgung nahtlos mit der Rechenleistung skaliert und so die nächste Generation nachhaltiger und leistungsstarker Rechenzentrumsinfrastrukturen definiert.