Infineon Technologies und SolarEdge Technologies arbeiten zusammen, um Festkörper-Leistungsschalter auf Siliziumkarbid-Basis (SiC) voranzutreiben, die speziell für 800-VDC-KI-Rechenzentren entwickelt wurden. Diese Entwicklung zielt darauf ab, die Effizienz, Zuverlässigkeit und Sicherheit der Stromverteilung in Hochdichte-Recheninfrastrukturen der nächsten Generation zu verbessern.
Überblick über die strategische Zusammenarbeit
Infineon Technologies und SolarEdge Technologies haben eine umfassende Erweiterung ihrer Zusammenarbeit zur Weiterentwicklung der Festkörper-Leistungsschaltertechnologie (SSCB) angekündigt. Diese Partnerschaft zielt speziell auf die Hochspannungs-Gleichstromverteilung innerhalb von KI- und Hyperscale-Rechenzentren ab. Da die Branche schnell auf 800-VDC-Architekturen umstellt, um die steigende KI-Rechenleistungsdichte zu unterstützen, sind ein sicherer Betrieb und eine schnelle Fehlerisolierung von größter Bedeutung. SolarEdge führt die Entwicklung der SSCB-Lösung an, während Infineon seine Siliziumkarbid-JFET-Technologie (SiC-JFET) bereitstellt, die den Kern dieser fortschrittlichen Schutzgeräte bildet.
Technische Funktionsweise von Festkörper-Leistungsschaltern
Der Übergang zur Gleichstromverteilung bringt im Vergleich zu herkömmlichen Wechselstromsystemen spezifische technische Herausforderungen mit sich. In Gleichstromkreisen erschwert das Fehlen eines natürlichen Nulldurchgangs des Stroms die mechanische Unterbrechung, was häufig zu Lichtbogenproblemen und vergleichsweise langsamen Reaktionszeiten führt. Festkörper-Leistungsschalter lösen dieses Problem, indem sie Fehler innerhalb weniger Mikrosekunden unterbrechen, ohne dass mechanische Kontakte zum Trennen benötigt werden. Im Mittelpunkt dieser schnellen Reaktion steht die CoolSiC-JFET-Technologie von Infineon, die einen hocheffizienten Betrieb und überragende Robustheit bietet. Diese Fehlerisolierung im Mikrosekundenbereich gewährleistet Selektivität und erhält eine hohe Effizienz, schützt wertvolle Rechentechnik und ermöglicht gleichzeitig kompaktere Gleichstromverteilungsdesigns mit höherer Leistungsdichte.
Integration in Festkörpertransformer-Plattformen
Diese neueste Entwicklung baut direkt auf der im November 2025 erstmals angekündigten Zusammenarbeit an der Festkörpertransformer-Plattform (SST) auf. Der SST wurde entwickelt, um eine direkte Umwandlung von Mittelspannung (13,8–34,5 kV) in 800–1500 VDC zu ermöglichen und dabei einen Wirkungsgrad von über 99 Prozent zu erreichen. Durch die Zusammenführung mehrerer Wandlungsstufen in einer einzigen Lösung reduziert der SST den Platzbedarf der Strominfrastruktur erheblich. Die Ausweitung der Zusammenarbeit auf den Festkörperschutz schließt eine kritische Lücke in der Verteilerebene zwischen dem SST und dem Rechenrack und treibt eine umfassende Lösung vom Netz bis zum Rack voran. Shuki Nir, CEO von SolarEdge, betonte, dass der Festkörperschutz es Betreibern ermöglicht, kompromisslose Effizienz und zuverlässige Fehlerisolierung zu erreichen, ohne bei der Wandlungsleistung Abstriche zu machen.
Bewältigung der Herausforderungen der 800-VDC-Architektur
Der Vorstoß hin zur 800-VDC-Architektur wird durch die Notwendigkeit getrieben, immer leistungsdichtere Infrastrukturen sicher zu handhaben. Wie Andreas Weisl, Executive Vice President und Chief Sales Officer von Industrial & Infrastructure bei Infineon, bemerkte, sind moderne Dateninfrastrukturen anfälliger für elektrische Fehler. Diese Verwundbarkeit treibt die Nachfrage nach intelligenteren, schnelleren und robusteren Stromverteilungssystemen voran. Die Zusammenarbeit konzentriert sich speziell auf die Verteilerebene, um einen sicheren Betrieb der Hochspannungs-Gleichstromumgebung zu gewährleisten. Durch die Kombination der fortschrittlichen SiC-JFET-Technologie von Infineon mit der Expertise von SolarEdge bei der endgültigen Stromverteilung stellt die Partnerschaft schnelle, sichere und zuverlässige Abläufe sicher, die auf die strengen Anforderungen von KI-Rechenzentren zugeschnitten sind.
Auswirkungen auf die Infrastruktur von KI-Rechenzentren
Der Einsatz von SSCBs hat weitreichende Auswirkungen auf das physische und betriebliche Design von KI-Rechenzentren. Hochdichte KI-Infrastruktur bei 800 VDC erfordert kompromisslose Effizienz und Schutz. Die Hauptvorteile dieser Technologie umfassen:
- Fehlerunterbrechung im Mikrosekundenbereich ohne mechanischen Verschleiß, was deutlich kompaktere Stromverteilungsdesigns ermöglicht.
- Erhöhte Sicherheit und Selektivität in Hochspannungs-Gleichstromumgebungen zum Schutz wertvoller Rechentechnik.
- Reduzierte Ausfallrisiken, die kontinuierliche, unterbrechungsfreie Verarbeitungskapazitäten für massive KI-Workloads gewährleisten.
Dies ist entscheidend für Hyperscale-Rechenzentren, in denen der Platzbedarf und die Kühleffizienz direkt mit den Betriebskosten und der Rechenleistung verknüpft sind.
Zukunftsausblick und Auswirkungen auf die Branche
Mit Blick auf die Zukunft nutzt SolarEdge seine mehr als 15-jährige Führungsposition in der gleichstromgekoppelten Leistungselektronik, um einen 800-VDC-Antriebsstrang speziell für KI-Fabriken zu entwickeln. Diese DC-native Kette ist so konzipiert, dass sie die Leistung nahtlos von der Mittelspannungs-Netzverbindung über Wandlung, Verteilung und Schutz direkt bis zum Rechenrack transportiert. Das breite Portfolio von Infineon an Silizium-, Siliziumkarbid- und Galliumnitrid-Lösungen liefert die grundlegenden Halbleiterkomponenten für dieses Ökosystem. Letztendlich unterstützt dieser umfassende Ansatz die breitere Dekarbonisierung der KI-Infrastruktur. Durch die Erzielung geringerer Leistungsverluste, die Reduzierung der Umweltauswirkungen und die Verbesserung der Gesamtbetriebskosten setzt diese Zusammenarbeit einen neuen Standard für nachhaltige, leistungsstarke Stromarchitekturen in Rechenzentren.